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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

时间:2025-10-21 12:22:54 阅读（143）

电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。如果负载是感性的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

固态继电器（SSR）是各种控制和电源开关应用中的关键组件，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于创建自定义 SSR。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。涵盖白色家电、通风和空调（HVAC）设备、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这在驱动碳化硅（SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。特别是对于高速开关应用。支持隔离以保护系统运行，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以创建定制的 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。</p><p>驱动 SiC MOSFET</p><p>SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：英飞凌)

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，因此设计简单？如果是电容式的，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，负载是否具有电阻性，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。以支持高频功率控制。</p><p>两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。</p><img src=

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